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  1. http://www.sprow.co.uk/fpgas/lingo.htm# Gates (第四個名詞解釋) Gate equivalents...of the FPGA's architechture to save a few gates ,eg.using flip flops in the IOB...

    分類:科學 > 其他:科學 2006年10月28日

  2. 74LS32 (4組,OR gate )-A,B點輸入,Y點輸出,只要A或B有一輸入為1則Y輸出即為1,所以任一不使用的輸入腳皆接地即可!!由另一輸入腳控制!!!

    分類:科學 > 其他:科學 2009年03月02日

  3. 不考慮 gate depletion電容下, 因為 Id=(W/L)*Cox*ueff*(Vg...值,進而增加電流 所以才有人說oxide scaling時要換high k材料 (2) metal gate 主要是減少 gate depletion的產生, 傳統 poly gate 因為算是si的材料, 所以也會有inversion...

    分類:科學 > 其他:科學 2005年12月27日

  4. 因為 GATE 愈做愈小, 使得source(S)和drain(D)兩端的距離變得很近; 又V...電場和S/D兩端的距離成反比, 使得電場強度因微縮而增大. 因此在 GATE 兩端接面間的載子很容易就會受到這樣的大電場而被加速,形成所謂的熱載子...

    分類:科學 > 其他:科學 2006年09月28日

  5. ...只會看到MOSFET的D極(Drain), G極( Gate ), 以及S極(Source) 而箭號表示於S極, 箭號...電流由 Gate 流向電晶體, 所以JFET並不是沒有電流流經 Gate 的

    分類:科學 > 其他:科學 2005年04月03日

  6. ...相當,只是主要的載子不同而已. 以NMOS為例,它的運作主要靠電子.如果在 GATE 上加一個正電壓,那麼在 GATE 底下會形成一個通道.這時候如果在DRAIN...

    分類:科學 > 其他:科學 2012年07月11日

  7. q=angle from gate to weight=acos(h/L)w= Gate weight/width=?b= Gate width...

    分類:科學 > 其他:科學 2012年08月07日

  8. ...打開,使細胞膜內側電位上升(EPSP),當電位上升到一定程度後,使voltage gated Na channel打開,更多鈉離子進來引發動作電位,此時voltage gated ...

    分類:科學 > 其他:科學 2005年11月04日

  9. ...com/jw!3RX5qqeGACih02t09gTruoQ-/article?mid=17 非及閘(NAND Gate ) 反閘(非閘)(Inverter, or Not Gate ) 可以用非及閘拿掉...

    分類:科學 > 其他:科學 2008年02月13日

  10. ...-through離子佈植 Field離子佈植 (4) 成長閘極氧化層( Gate oxide) (5) 成長閘極多晶矽層( Gate poly-Si) (6) 形成閘極( Gate ...

    分類:科學 > 其他:科學 2008年07月28日