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  1. ... (FET), and to measure the the Id-Vg, Id-Vd, Breakdown Voltage , Capacitance- Voltage and pulse measurement of the semiconductors...

    分類:社會與文化 > 語言 2015年03月27日

  2. ...: 接點閉合時的端電壓不能超過此數值. 超過時接點有可能黏住, 無法斷開. Breakdown voltage 300 DC (不懂 Ans: 接點斷開時的端電壓不能超過此數值. 超過時...

    分類:科學 > 工程學 2013年06月09日

  3. 因此這種類型的設備或設備的零件,可以藉著在第二類絕緣電容上累加數個ESD放電(靜電放電),而在極高的電荷下充電。接著以更高的能量,在這個絕緣體的崩潰電壓上進行放電。

    分類:社會與文化 > 語言 2013年03月23日

  4. 第 1 季度:因此,這種類型的設備或設備部件可能不切實際地高收費,收取的積累對類二、 絕緣、 電容的幾個 ESD 放電,然後放電擊穿電壓的保溫具有更高的能源。 第 2 季度:來類比單個 ESD 事件 (或者由空氣或接觸放電),須在每個應用的 ESD 脈衝之前移上...

    分類:社會與文化 > 語言 2013年03月30日

  5. ...漏電電流流通( Is)。所以在逆向區操作時,電壓是不能超過此電壓。 2 BREAKDOWN VOLTAGE (VBR) Reverse Breakdown Voltage : This...

    分類:科學 > 工程學 2012年07月23日

  6. 圖P26.48所示的組合中的每個電容器的擊穿電壓是15.0伏特。 請問整個組合的擊穿電壓是多少? 你應該到理工問

    分類:社會與文化 > 語言 2012年04月27日

  7. 是高氣壓較容易產生。 低壓,電漿容易維持,相對的Vdc會比較高,可避免電子進入離子層造成擊穿。 不過這是在RF POWER不過大的前提下。 如果RF POWER 低壓時過大,高壓時剛好,結果就會相反。

    分類:科學 > 其他:科學 2012年04月09日

  8. 電源只有8V,而稽納二極體崩潰電壓為10V,所以根本還沒到其崩潰電壓,所以稽納二極體在本題中等於開路,根本不用理它! 所以Io=8V/(10kΩ+10kΩ)=0.4mA. 至於您的算法答案是正確的,而把8/2=4V是根據什麼定理就比較令人納悶了!

    分類:科學 > 其他:科學 2012年03月12日

  9. 1.forward bias 2.reverse bias 3.forward breakdown voltage 4.resistor 5.inductance 6.capacitance

    分類:科學 > 其他:科學 2011年11月03日

  10. Voltage rating 額定電壓或電壓定格 The transistors in the output satge must exhibit breakdown voltages well above the output voltage swings 輸出端電晶體顯示的崩潰電壓必須遠高於輸出電壓的振幅(即最大值)‧

    分類:社會與文化 > 語言 2011年01月13日