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  1. Voltage rating 額定電壓或電壓定格 The transistors in the output satge must exhibit breakdown voltages well above the output voltage swings 輸出端電晶體顯示的崩潰電壓必須遠高於輸出電壓的振幅(即最大值)‧

    分類:社會與文化 > 語言 2011年01月13日

  2. ...current-----IF 峰值順向電流 17:peak forward voltage -----VSM峰值順向電壓 18: breakdown voltage -----VR 崩潰電壓 2006-02-16 20:51:46 補充: 到這個網站看一看有一些...

    分類:社會與文化 > 語言 2006年02月14日

  3. 圖P26.48所示的組合中的每個電容器的擊穿電壓是15.0伏特。 請問整個組合的擊穿電壓是多少? 你應該到理工問

    分類:社會與文化 > 語言 2012年04月27日

  4. ... (FET), and to measure the the Id-Vg, Id-Vd, Breakdown Voltage , Capacitance- Voltage and pulse measurement of the semiconductors...

    分類:社會與文化 > 語言 2015年03月27日

  5. 因此這種類型的設備或設備的零件,可以藉著在第二類絕緣電容上累加數個ESD放電(靜電放電),而在極高的電荷下充電。接著以更高的能量,在這個絕緣體的崩潰電壓上進行放電。

    分類:社會與文化 > 語言 2013年03月23日

  6. 中文翻譯這裡: 摘要電重音的增量,在大高壓直流電(DC)過濾器電容器製造與所有聚丙烯影片電介質懷孕與合成物質碳氫化合物,有限归结于高的@e DC故障的價值的分散作用電壓。 因此,标称电压(聯合國)必須被採取在低值,為了避免太高错误率在慣例DC測試電壓...

    分類:社會與文化 > 語言 2008年11月09日

  7. 第 1 季度:因此,這種類型的設備或設備部件可能不切實際地高收費,收取的積累對類二、 絕緣、 電容的幾個 ESD 放電,然後放電擊穿電壓的保溫具有更高的能源。 第 2 季度:來類比單個 ESD 事件 (或者由空氣或接觸放電),須在每個應用的 ESD 脈衝之前移上...

    分類:社會與文化 > 語言 2013年03月30日

  8. ...的肖特基二極體是具有低順向壓降,和很快的開關速度 7.Choose a reverse breakdown of the schottky diode large than the output voltage 選擇一個蕭特基二極體的逆向崩潰電壓大於輸出電壓 (reverse: 逆向)

    分類:社會與文化 > 語言 2006年07月07日

  9. ...overvoltage protection: May depend on the hypothesis voltage to adjust (17) 18. current protection: May depend on the...security (19) 20. cuts the function: The mold train breakdown by the MS cut to the normal work, does not affect...

    分類:社會與文化 > 語言 2009年05月29日

  10. 領域-效果的電晶體 (FET)是一個單極的半導體裝置。 它只使用 為手術的一個改變運送者。 有 FETS 的二個類型: 聯接 FET (JFET)和金屬-氧化物半導體 FET(MOSFET). JEFT 有三 activer 元素: 來源,門和排水溝。 他們符合射...

    分類:社會與文化 > 語言 2006年05月25日