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  1. 第 1 季度:因此,這種類型的設備或設備部件可能不切實際地高收費,收取的積累對類二、 絕緣、 電容的幾個 ESD 放電,然後放電擊穿電壓的保溫具有更高的能源。 第 2 季度:來類比單個 ESD 事件 (或者由空氣或接觸放電),須在每個應用的 ESD 脈衝之前移上...

    分類:社會與文化 > 語言 2013年03月30日

  2. ...的肖特基二極體是具有低順向壓降,和很快的開關速度 7.Choose a reverse breakdown of the schottky diode large than the output voltage 選擇一個蕭特基二極體的逆向崩潰電壓大於輸出電壓 (reverse: 逆向)

    分類:社會與文化 > 語言 2006年07月07日

  3. ...overvoltage protection: May depend on the hypothesis voltage to adjust 18. current protection: May depend on the...the personal security 20. cut function: The mold train breakdown by the MS cut to the normal work, does not affect...

    分類:科學 > 工程學 2009年05月28日

  4. ...濾波器(filter) 布林(boole)~布林代數(Boolearn Algebra) 崩潰 breakdown 切入(injection) 鏈波(ripple) 反向電壓峰值(peak inverse voltage ) 光偵測二極體(light sensor diode) 檢波器(偵測器)(sensor) 可變電阻(vary-resistor...

    分類:科學 > 其他:科學 2006年01月18日

  5. ...overvoltage protection: May depend on the hypothesis voltage to adjust (17) 18. current protection: May depend on the...security (19) 20. cuts the function: The mold train breakdown by the MS cut to the normal work, does not affect...

    分類:社會與文化 > 語言 2009年05月29日

  6. 您好,這是我的意見. (1) voltage rating是否能提高? 這有幾項參數要確認. A.兩PIN之間的...

    分類:科學 > 工程學 2009年12月15日

  7. 1.(a)五價元素為磷、砷、銻為施體雜質又為型雜質因此掺雜之後會使得電子數大於電洞數。 2.(a)擴散電流的形成是因為濃度不均勻所造成的,而漂移電流的形成是因為電場強度造成的。 3.(a)空乏區內還是有少數載子的擴散電流和再結合電流。 4.(b)順偏時空乏區寬度比未加偏壓來得小。 5.(a)為...

    分類:教育與參考 > 考試 2006年04月20日

  8. 領域-效果的電晶體 (FET)是一個單極的半導體裝置。 它只使用 為手術的一個改變運送者。 有 FETS 的二個類型: 聯接 FET (JFET)和金屬-氧化物半導體 FET(MOSFET). JEFT 有三 activer 元素: 來源,門和排水溝。 他們符合射...

    分類:社會與文化 > 語言 2006年05月25日