Yahoo奇摩 網頁搜尋

  1. 是高氣壓較容易產生。 低壓,電漿容易維持,相對的Vdc會比較高,可避免電子進入離子層造成擊穿。 不過這是在RF POWER不過大的前提下。 如果RF POWER 低壓時過大,高壓時剛好,結果就會相反。

    分類:科學 > 其他:科學 2012年04月09日

  2. 電源只有8V,而稽納二極體崩潰電壓為10V,所以根本還沒到其崩潰電壓,所以稽納二極體在本題中等於開路,根本不用理它! 所以Io=8V/(10kΩ+10kΩ)=0.4mA. 至於您的算法答案是正確的,而把8/2=4V是根據什麼定理就比較令人納悶了!

    分類:科學 > 其他:科學 2012年03月12日

  3. 1.forward bias 2.reverse bias 3.forward breakdown voltage 4.resistor 5.inductance 6.capacitance

    分類:科學 > 其他:科學 2011年11月03日

  4. ...呈現與一般電容器元件相同之性質。 當Varistor兩端電壓高於元件崩潰電壓( Breakdown Voltage)時,元件進入ON的動作狀態,轉變成以低阻抗來抑制暫態...

    分類:科學 > 其他:科學 2011年01月13日

  5. ...structure 結構退化 因無需某些構造而使該構造產生退化。 13 Hybrid breakdown 雜種衰退 雜交物種的子代一直減損存活率或可孕性 。 14 Disruptive...

    分類:科學 > 其他:科學 2011年01月07日

  6. 1. pn 二極體之齊納崩潰(zener breakdown )與雪崩崩潰(avalanche breakdown ) 稽納崩潰:因為參雜濃度高,空乏區共價鍵弱...

    分類:科學 > 其他:科學 2010年07月19日

  7. APD 就是雪崩二極體,工作在負偏壓接近崩潰電壓附近,但最好是不要操作在超過崩潰電壓,這樣容易使此二極體因過量的漏電流造成元件的缺陷而損壞。 一般APD常用來量測交流訊號,背景雜訊為直流號重常會被設計的電路過濾掉,因此只會顯示交流的訊號。 另外...

    分類:科學 > 其他:科學 2008年11月05日

  8. 作電路防護,負責吸收突波的 varistor(變阻器) ,在標準測試突波下,重複測試的結果基本上特性相同。 但 varistor(變阻器) 除了有承受功率的限制外,還有承受總能量的限制。 因此,如果因超過承受功率導致燒毀,或已承受過多能量致內部物質消耗殆盡,則再次測試時特性將改變,失去...

    分類:科學 > 其他:科學 2008年08月12日

  9. ...導崩潰... ...安規測試...介質崩潰(Dielectric Breakdown ) 介質崩潰的定義是:「介電擊穿是當加在電介質...成長之複晶矽間氧化膜皆具有較高的崩潰電荷(charge-to- breakdown )。 ...半導崩潰(semicondutor breakdown ) 對一處於絕對零度...

    分類:科學 > 其他:科學 2008年08月04日

  10. ...耐熱度:140度c 熱膨脹係數10-5 /0 :2.5-2.6 介電破壞強度Dielectric breakdown strengths KV / mm:9-16 電解係數Coeffcient of volume resistance...

    分類:科學 > 其他:科學 2008年03月04日