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  1. ...電壓是不能超過此電壓。 2 BREAKDOWN VOLTAGE (VBR) Reverse Breakdown Voltage : This is the point where the device begins to conduct in avalanche...

    分類:科學 > 工程學 2012年07月23日

  2. ...in voltage ):通過二極體電流達到其額定值1%時二極體兩端電壓值 反向崩潰電壓( Reverse breakdown voltage ):當二極體逆偏電壓大到一定程度時,電流由nA級快速竄升至大電流現象...

    分類:科學 > 其他:科學 2006年11月07日

  3. ...理想的肖特基二極體是具有低順向壓降,和很快的開關速度 7.Choose a reverse breakdown of the schottky diode large than the output voltage 選擇一個蕭特基二極體的逆向崩潰電壓大於輸出電壓 ( reverse : 逆向)

    分類:社會與文化 > 語言 2006年07月07日

  4. 1.forward bias 2. reverse bias 3.forward breakdown voltage 4.resistor 5.inductance 6.capacitance

    分類:科學 > 其他:科學 2011年11月03日

  5. ...current-----IR 逆向電壓漏電流 7:typical reverse recovery time-----TRR 典型的反向恢復時間...current-----IF 峰值順向電流 17:peak forward voltage -----VSM峰值順向電壓 18: breakdown voltage -----VR 崩潰電壓 2006-02-16 20...

    分類:社會與文化 > 語言 2006年02月14日

  6. ...保險絲(fuse) 繼電器(relay) 反向組態( reverse bias) 非反向組態(forwad bais... Algebra) 崩潰 breakdown 切入(injection) 鏈波(ripple) 反向電壓峰值(peak inverse voltage ) 光偵測二極體(light sensor diode) 檢波器...

    分類:科學 > 其他:科學 2006年01月18日

  7. 領域-效果的電晶體 (FET)是一個單極的半導體裝置。 它只使用 為手術的一個改變運送者。 有 FETS 的二個類型: 聯接 FET (JFET)和金屬-氧化物半導體 FET(MOSFET). JEFT 有三 activer 元素: 來源,門和排水溝。 他們符合射...

    分類:社會與文化 > 語言 2006年05月25日